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电光调制器
电光调制器
谐振型电光调制器(R-EOM)依托山西大学量子光学与光量子器件重点实验室科研技术进行成果转化。在抑制相位调制中剩余振幅调制技术基础上,自主研发了谐振型电光相位调制器,可以有效降低半波电压、提高调制深度以及抑制相位调制中剩余振幅调制,提高系统锁定稳定性等(该研究成果被德国Qubig公司在其官网上引用)。该调制器广泛应用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子钟、时频传输等领域。
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谐振型电光调制器(R-EOM)依托山西大学量子光学与光量子器件重点实验室科研技术进行成果转化。在抑制相位调制中剩余振幅调制技术基础上,自主研发了谐振型电光相位调制器,可以有效降低半波电压、提高调制深度以及抑制相位调制中剩余振幅调制,提高系统锁定稳定性等(该研究成果被德国Qubig公司在其官网上引用)。该调制器广泛应用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子钟、时频传输等领域。

谐振型电光相位调制器


一,谐振型电光调制器简介

谐振型电光调制器(R-EOM)依托山西大学量子光学与光量子器件重点实验室科研技术进行成果转化。在抑制相位调制中剩余振幅调制技术基础上,自主研发了谐振型电光相位调制器,可以有效降低半波电压、提高调制深度以及抑制相位调制中剩余振幅调制,提高系统锁定稳定性等(该研究成果被德国Qubig公司在其官网上引用)。该调制器广泛应用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子钟、时频传输等领域。

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 图1 德国Qubig公司官网引用山西大学研究成果


  二, 谐振型低剩余振幅调制电光相位调制器性能参数

谐振频率f0 1)

0.1 MHz-100 MHz

典型带宽Δν

0.014*f0

Q

70

max大射频驱动功率

2 W

电光晶体

铌酸锂

通光孔径

ф3 mm

使用波长范围

360 nm-2μm

损伤阈值

2 W/mm2

Surface Quality

≤ 20-10

Flatness

≤ λ/8@633nm

Wavefront Distortion

≤ λ/6@633nm

工作温度范围

-20-80℃

                                                1)室温24.5℃下测试数据



三,谐振型电光相位调制器典型外观尺寸

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图2 典型外观尺寸


备注:上图为典型外观尺寸,可定制外观尺寸、螺纹大小、位置及温控套件,温控套件需另配。


四,测试方法及结果:zz1 谐振频率测量方法及典型结果


R-EOM谐振性能测试装置图如图3所示。将R-EOM的输入端接入网络阻抗分析仪,测量R-EOM对驱动信号反射特性。

实验结果如图4所示,其中驱动反射率在5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz处达到很低,佳谐振频率即为5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz,此时能量转化达到佳。由于实际使用信号源内部时钟不同,可在设定频点附近寻找实际佳调制频率。

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图3 R-EOM调制器谐振性能测试装置图


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2.调制深度测试方法及典型结果

调制深度随驱动电压测试装置图,如图5所示。特定线偏振激光经过R-EOM调制后,入射到一个光学腔中,利用Keysight 33600A或其他信号源为R-EOM提供驱动,通过PD探测腔透射信号主模式及以及边带模式大小及比例,根据贝塞尔函数计算调制深度。需要说明的是,在同等情况下,激光波长越短调制深度越高,我们是采用852 nm激光进行测试,如用633 nm,则所需驱动更低。

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Pro版本R-EOM的调制深度测试结果如下图所示,谐振频率为5.0 MHz的R-EOM达到调制深度1.435时所需2.15 Vp驱动


五, 激光偏振要求


基于单端楔角晶体的调制器,其激光入射方向及偏振要求如图8所示,SMA接头朝上,面朝logo,则激光从左端入射,出射光向右前方偏折,此时入射激光偏振方向为水平线偏振光(P偏振/H偏振);若logo面朝上放置,出射激光向上偏折,此时入射激光需为垂直线偏振激光(S偏振/V偏振)。

基于双端平行晶体的调制器,对激光入射方向无要求,但入射激光偏振同楔角晶体调制器一致。

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图8 基于单端楔角晶体调制器的激光入射方向及偏振要求


六,不同谐振频率下达到1rad调制深度所需驱动电压(852nm激光测试)

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                PS:50Ω阻抗测试电压峰值




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